國(guó)內(nèi)超低功耗MCU賽道迎“黃金時(shí)代”

近幾年，隨著物聯(lián)網(wǎng)興起，各式各樣的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備涌向市場(chǎng)。龐大市場(chǎng)背后，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備電池續(xù)航時(shí)間卻逐漸成為制約使用電池供電的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品發(fā)展的問(wèn)題，有限的電池容量很難滿足消費(fèi)者日漸增長(zhǎng)的續(xù)航需求，如何在電池容量有限的情況下提高設(shè)備的續(xù)航能力？顯然，低功耗成為廠商們無(wú)可避免的話題，而要想解決功耗問(wèn)題，就必須先從芯片上入手。

面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用需求，超低功耗單片機(jī)開(kāi)始受到越來(lái)越多的關(guān)注，上海靈動(dòng)微電子在內(nèi)的眾多國(guó)內(nèi)MCU廠商緊抓機(jī)遇，醞釀一波新變局。

一直以來(lái)，低功耗是物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展過(guò)程中無(wú)法避開(kāi)的技術(shù)話題，系統(tǒng)功耗是物聯(lián)網(wǎng)部署的主要考慮因素之一，原因在于當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點(diǎn)大部分采用電池供電，而MCU作為控制整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的核心器件，其能耗水平?jīng)Q定了物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的整體功耗特性，毫無(wú)疑問(wèn)，低功耗自然也成為MCU的重要指標(biāo)。

隨著物聯(lián)網(wǎng)類應(yīng)用逐漸走入工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域，對(duì)MCU的低功耗和集成度都提出了更高的要求。無(wú)論是消費(fèi)電子還是可穿戴設(shè)備，只要是用電池供電的物聯(lián)網(wǎng)終端對(duì)低功耗都有嚴(yán)格的要求，并且產(chǎn)品的續(xù)航能力還與消費(fèi)者體驗(yàn)息息相關(guān)，電子系統(tǒng)的能耗越大，產(chǎn)品的續(xù)航能力越差，消費(fèi)者的體驗(yàn)越糟糕，反之，能耗越小，消費(fèi)者體驗(yàn)也會(huì)有所提升。

而2011年成立上海靈動(dòng)微電子有限公司可以說(shuō)是近兩年國(guó)產(chǎn)超低功耗MCU領(lǐng)域一顆冉冉升起的新星，產(chǎn)品面向物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴電子、人工智能等領(lǐng)域，提供超低功耗芯片及解決方案。在成立的時(shí)間里，先后推出了覆蓋低功耗、安全應(yīng)用場(chǎng)景的超低功耗MCU。

靈動(dòng)微電子MM32L0系列使用高性能的Arm?Cortex?-M0為內(nèi)核的32位微控制器，最高工作頻率可達(dá)48MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型I/O端口和多種外設(shè)。內(nèi)置存儲(chǔ)器128KB Flash，8KB RAM，工作電壓為2.0V-5.5V，工作溫度范圍（環(huán)境溫度）-40℃-85℃，具有多種省電工作模式支持低功耗應(yīng)用的需求，提供LQFP48、LQFP32和QFN32封裝，適合于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用控制，醫(yī)療和手持設(shè)備等多種應(yīng)用場(chǎng)合。